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隨著半導體測試技術的不斷發(fā)展,高溫晶元測試已經(jīng)逐漸成為主流,并且測試溫度逐年升高。在不斷改良硬件設施的性能外,如何通過持續(xù)改進工藝制程和參數(shù)來更好的保證高溫晶元測試的穩(wěn)定性和安全性尤為重要 在晶元測試過程中探針卡的探針需要與晶元芯片表面PAD良好接觸以建立起測試機到芯片的電流通路。接觸的深度需要被控制在微米級,按照晶元層結構設計不同,通常在0.5微米到1.5微米之間較適宜。過淺會造成接觸不良導致測試結果不穩(wěn)定,過深則會有潛在的破壞底層電路的風險。而最直接影響接觸深度的物理量就是OD(Over-Drive)。與室溫測試相比,由于整套測試硬件在高溫環(huán)境下會發(fā)生熱膨脹,且在測試過程中會表現(xiàn)出與熱源距離相關的持續(xù)波動性,要保證高溫測試的穩(wěn)定安全,需要一套特殊的工藝
2021-02-05